2026年伊始，这轮自2024年末以来的存储涨价潮没有丝毫放缓的迹象，主要系人工智能服务器需求的爆发导致先进制程产能向HBM（高带宽存储器）等高端应用倾斜，挤压了其他市场的供给，引发全行业价格快速上涨。

　　存储芯片涨价潮席卷全球

　　全球存储芯片市场正经历前所未有的价格暴涨周期，涨价的核心驱动在于人工智能浪潮带来的结构性供需失衡。根据TrendForce调查，2026年第一季度，DRAM原厂将大规模转移先进制程产能至服务器与HBM应用，以满足AI服务器的强劲需求，导致消费电子、移动设备等领域的通用型DRAM供给严重紧缩。

　　受持续短缺和供应链调整的影响，自2024年底以来，部分内存模组现货价格涨幅已达惊人水平，其中DDR4 16Gb模块价格甚至在一年内飙升约1800%，创下近年内存市场最大涨幅纪录，并且截至目前，存储涨价势头仍看不到丝毫缓和的迹象。

　　有消息称，海外巨头三星和SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%-70%。

　　涨价预期下，资本市场大力追捧存储原厂，三星电子股价2026年1月以来涨超15%，续创历史新高，2025年以来已经涨超160%；SK海力士1月以来涨逾11%，距离刷新历史高点只差6%。

　　A股市场同步演绎存储行情。1月6日，存储器指数强势拉升，普冉股份（688766）、恒烁股份（688416）、北京君正（300223）、兆易创新（603986）等多只成分股涨幅居前，半导体设备则跟涨。

　　存储上行周期，国产链迎历史机遇

　　随着海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口具有持续性，因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升，国内存储产业正迎来关键发展窗口。

　　日前，最受市场关注的是长鑫科技IPO进展，该公司作为全球第四大DRAM原厂，在本轮行业上行周期中业绩显著改善，2025年营收预计达550亿元-580亿元，第四季度毛利率有望突破40%，并可能在2026年实现扭亏为盈。目前，长鑫目前拥有合肥与北京三座12英寸晶圆厂，预计2026年全部达产，产品已覆盖DDR5、LPDDR5X等主流技术平台。

　　尤其值得关注的是长鑫科技募投计划，公司拟募集资金295亿元，主要用于三方面：量产线技改、DRAM技术升级及前瞻技术研发。

　　长鑫科技扩产拉动的设备需求，这为更多国产半导体设备提供了导入机会，也提升了设备企业业绩增长的确定性。“长鑫的扩产计划是对国产存储供应链的一次整体拉动，AI驱动的HBM和高端存储需求，创造了结构性而非周期性的设备投资机会。3D NAND堆叠与DRAM技术迭代，使得刻蚀、薄膜沉积设备等核心设备的使用量和价值量大幅提升。”一位TMT行业人士说：“特别是在设备与材料环节，随着龙头企业的产能规模提升与技术迭代，本土具备卡位优势的厂商将迎来订单放量机会，国产替代进程将在存储领域进一步提速。”

　　（一财）