周一（10月27日）高带宽内存(HBM)板块狂涨近4%，精智达涨超15%，拓荆科技、联瑞新材涨超10%，香农芯创、雅克科技等跟涨。

　　所谓高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）是一种专为高性能计算和图形密集型应用设计的DRAM技术。HBM通过采用3D堆叠封装技术和硅通孔（TSV）技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，显著提升数据传输的带宽和效率，同时保持较低的功耗，这种结构不仅增加了存储密度，还缩短了数据传输路径，实现了高速数据通信。

　　随着大模型参数规模与训练数据量的爆炸式增长，传统内存技术已成为制约算力发挥的“内存墙”，而HBM凭借其超高带宽、低功耗和小体积特性，正成为AI芯片的主流选择。

　　综合消息面看，全球内存三大原厂均已深度布局高带宽内存。

　　在日前的财报会上，美光特别强调，预计半导体芯片，特别是HBM的供不应求情况将会加剧。公司CEO Sanjay Mehrotra透露，当前半导体存储领域，DRAM库存已低于目标水平，NAND库存持续下滑；而HBM产能需求增长显著，产能已被锁定，预计2026年HBM出货量增速将超过整体DRAM水平，成为半导体存储板块的核心增长驱动力。

　　具体HBM产品中，美光表示，已与几乎所有客户就2026年绝大部分HBM3E产能达成定价协议；公司正在与客户就HBM4进行讨论，供应“非常紧张”。

　　SK海力士也维持2025年HBM收入同比翻倍目标不变，12Hi HBM3e产品今年仍占主导，公司指引2024年-2028年HBM收入CAGR为50%；公司目前已经向客户提供首批HBM4样品验证

　　三星财报显示，2025年第二季度HBM销量环比增长约30%，其中 HBM3E产品占比扩大至超80%，公司预计2025年半年报HBM3E销售占比超 90%；公司表示HBM4已经完成开发，向主要客户送样。

　　长江证券研报显示，HBM3E代际为当前主流，据TrendForce预测，2025年HBM3E市场份额大幅提升，占比有望超过95%。

　　Choice数据显示，高带宽内存板块自10月17日反弹以来，12只个股获得杠杆资金抢筹，其中拓荆科技排名第一，融资净买入近6亿元，该股年内至今涨幅已经翻倍；香农芯创排名第二，融资净买入近5亿元，年内涨幅超370%。

　　中微公司、雅克科技、炬光科技、北方华创、盛美上海、中巨芯-U等个股融资净买额在1.7亿元至4000万元之间不等。

　　从机构观点看，高带宽内存板块中，年内涨幅较大个股偏设备端与代销端。比如拓荆科技，如精智达，香农芯创等。

　　民生证券认为，从产业链来看，HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商；中游为HBM生产，下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。在HBM制造中，TSV工序是主要难点，其涉及光刻、涂胶、刻蚀等复杂工艺，是价值量最高的环节。国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。（东财）